Mosfet para controladora Xiaomi Patinete 1 unidad
Mosfet para controladora xiaomi patinete
Número de Parte: NCEP85T14
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 85 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 84 nC
Tiempo de elevación (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 850 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0041 Ohm
Principales características NCEP85T14 MOSFET
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