Mosfet do kontrolera skutera Xiaomi 1 szt.
Mosfet dla kontrolera skutera xiaomi
Numer części: NCEP85T14
Typ FET: MOSFET
Polaryzacja tranzystora: N
MAKSYMALNE SPECYFIKACJE
Całkowite rozproszenie mocy urządzenia (Pd): 200 W
Napięcie dren-źródło: 85 V
Napięcie bramka-źródło: 20 V
Ciągły prąd drenujący: 140 A
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175 °C
CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA
Napięcie progowe bramka-źródło |Vgs(th)|: 4 V
Obciążenie bramki (Qg): 84 nC
Czas narastania (tr): 10 nS
Przewodność dren-podłoże (Cd): 850 pF
Rezystancja dren-źródło RDS(on): 0,0041 Ohm
Inne elektroniczne części zamienne
